Koreański producent pamięci SK hynix zaprezentował przełomową technologię – pierwszą na świecie pamięć flash typu NAND TLC o strukturze 321 warstw, zgodną ze standardem UFS 4.1. Rozwiązanie to zostało zaprojektowane z myślą o najnowszej generacji smartfonów, które stawiają na smukłą konstrukcję i zaawansowane narzędzia oparte na sztucznej inteligencji. Nowe moduły pamięci są nie tylko szybsze i bardziej energooszczędne, ale również cieńsze, co czyni je idealnym wyborem dla producentów urządzeń mobilnych poszukujących wydajnych i kompaktowych rozwiązań.
W porównaniu do poprzedniej generacji z 2022 roku, która wykorzystywała strukturę 238-warstwową, nowy projekt oferuje aż o 15% wyższe prędkości losowego odczytu i o 40% wyższe prędkości losowego zapisu. Dodatkowo maksymalna prędkość sekwencyjnego odczytu dochodzi do 4,3 GB/s, co oznacza pełne wykorzystanie przepustowości interfejsu UFS 4.1. Tego typu skok jakościowy znacząco wpłynie na komfort pracy ze smartfonem – od szybszego uruchamiania aplikacji po płynniejsze przełączanie się między zadaniami.
Konstrukcja nowego układu jest również wyjątkowo kompaktowa – jego grubość wynosi zaledwie 0,85 mm, podczas gdy poprzednia generacja miała 1 mm. Choć zmiana wydaje się niewielka, ma ogromne znaczenie w kontekście ultracienkich smartfonów przyszłości. Dodatkowy milimetr przestrzeni wewnątrz telefonu może rozpocząć nową erę w projektowaniu smukłych urządzeń, takich jak chociażby nadchodzący Galaxy S25 Edge.
Równie istotnym elementem jest poprawa efektywności energetycznej – nowe moduły są o 7% bardziej energooszczędne niż ich poprzednicy. Mniejsze zużycie energii przekłada się bezpośrednio na mniejszą emisję ciepła oraz dłuższy czas pracy na baterii – a to zawsze cieszy użytkowników smartfonów.
Warto podkreślić, że technologia ta ma również znaczenie dla wydajności sztucznej inteligencji na urządzeniu. Zwiększona prędkość sekwencyjnego odczytu pozwala szybciej załadować modele AI do pamięci RAM, co przyspiesza ich działanie w czasie rzeczywistym. Z drugiej strony poprawiona wydajność operacji losowych wpływa pozytywnie na wielozadaniowość – smartfon lepiej radzi sobie z otwieraniem wielu aplikacji naraz i szybkim przełączaniem się między nimi.
Nowe pamięci będą dostępne w dwóch wariantach pojemności – 512 GB oraz 1 TB. Na ten moment nie przewidziano wersji 256 GB, co może mieć wpływ na decyzje zakupowe użytkowników poszukujących telefonu ze średniej półki. Obecnie modele z 128 GB pamięci nadal wykorzystują starszy standard UFS 3.1, co może oznaczać większe różnice w wydajności między wersjami urządzeń.
Masowa produkcja nowej pamięci ma rozpocząć się w pierwszym kwartale 2025 roku, choć już teraz firma celuje w podpisanie kontraktów z producentami smartfonów. Pierwsze urządzenia korzystające z tej technologii mogą zadebiutować na rynku w przyszłym roku.
Nowe układy NAND o 321-warstwowej strukturze znajdą zastosowanie nie tylko w smartfonach. SK hynix pracuje również nad implementacją tej technologii w dyskach SSD przeznaczonych zarówno dla użytkowników indywidualnych, jak i centrów danych. To sygnał, że nadchodząca rewolucja w pamięciach masowych obejmie szeroki zakres urządzeń i środowisk użytkowania.